目前無線充電的 Qi 標準頻率在 100-200k 之間。在這個頻率下，納米晶的磁導率非常接近鈷基非晶的磁導率，明顯高于鐵基非晶和鐵氧體的磁導率。相反，損耗明顯低于鐵基非晶和鐵氧體。

納米晶體在溫度應用中也具有優(yōu)勢。納米晶不僅在應用溫度上比鈷基非晶和鐵氧體更寬，而且在-40℃-120℃體的范圍內(nèi)納米晶的穩(wěn)定性也明顯優(yōu)于鐵氧體。

納米晶體在磁性材料的設(shè)計上也有明顯的優(yōu)勢。納米晶體可以定向控制磁導率和抗飽和磁場。納米晶的滲透率可在1000-30000范圍內(nèi)任意調(diào)節(jié)。磁性材料的設(shè)計要求在特定的工作電流下，不能達到磁飽和。一旦達到磁飽和，它將停止工作。納米晶可調(diào)抗飽和磁場可達30~350A/m，使無線充電的應用范圍更廣。

幾種鐵基納米晶與鐵基非晶、鈷基非晶和鐵氧體的比較：飽和磁通密度：鐵基納米晶明顯優(yōu)于鈷基，但略低于鐵基非晶和鐵氧體；

納米晶在矯頑力、初始磁導率、飽和磁致伸縮系數(shù)、居里溫度、性能變化率等方面均優(yōu)于其他材料。因此，納米晶是最好的軟磁材料。

納米晶的發(fā)展趨勢

隨著電子產(chǎn)品向高頻化、節(jié)能化、小尺寸化、集成化方向發(fā)展，應用頻率也越來越高，燈帶也在一代代更新?lián)Q代。從最初的厚度為22-30μm的傳統(tǒng)制帶工藝（目前國內(nèi)生產(chǎn)水平），現(xiàn)在的膠帶已經(jīng)發(fā)展到第三代和第四代。先進的制帶工藝（國際先進生產(chǎn)水平）可達到14-22μm。并掌握了更薄的制帶技術(shù)。納米晶帶的發(fā)展趨勢是超薄帶。

超薄納米晶焊帶特性：焊帶越薄，損耗越低。

改革了導磁片的量產(chǎn)工藝。自2015年導磁片量產(chǎn)以來，工藝不斷變化，逐漸從片材過渡到線圈，大大提高了生產(chǎn)效率，滿足了日益增長的需求。